國家存儲器基地項目落在武漢，選址在哪里，此次國家存儲器基地一期二期進展如何了，國家存儲器基地是幾級？規劃面積多大，投資多少錢，國家存儲器基地這個還在進展當中，三期有消息嗎，下面一起了解下吧。
國家存儲器項目落戶武漢
選址：武漢光谷（武漢市東西湖區未來二路以東, 未來三路以西, 科技五路以北）
國家存儲器基地一期
基本情況：企業為長江存儲科技有限責任公司，新建芯片生產廠房、研發大樓及相關配套設施，建設產能為10萬片/月的先進存儲器產品生產線。
最新進展：國家存儲器項目一期總部研發大樓驗收工作，現已完成消防、質量驗收，室外綠化工程正在施工，已基本完成;跨未來三路封閉連廊完成內部裝修，已投入使用;未來館完成樁基施工及土方開挖，正在進行四層主體結構施工。
國家存儲器基地二期
國家存儲器項目位于武漢東湖高新區武漢未來科技城，總投資1600億元，規劃建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND閃存制造廠房。預計2020年，整個項目完成，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。目前，長江存儲器基地一期已實現量產。
報道，湖北省政協委員、長江存儲科技有限責任公司人介紹，隨著國家存儲器基地項目一期的實施，區域產業帶動成效初顯。
當前以及今后一段時間，他們的首要任務是推進產能爬坡，如期達成月產能10萬片，并盡快啟動二期建設，建成30萬片/月產能，提升國家存儲器基地的規模效應，帶動全省產業發展。
最新進展：6月20日上午，國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區未來科技城國家存儲器基地建設工地開工建設
一期二期規劃
其中，一期主要實現技術突破，并建成10萬片/月產能;二期規劃產能20萬片/月，兩期項目達產后月產能共計30萬片
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